Флэш-память 128 МБ MWD, 210 градусов, производитель флэш-памяти NAND, чип флэш-памяти NAND
Базовая информация
Вместимость склада | ≤1G |
Тип поверхности | Жесткий |
Форма | Прямоугольный |
Материал | Керамика |
Открытый стиль | открытие |
USB-тип | Творческий USB-накопитель |
Цвет | Золото |
функция | Жесткий диск USB для хранения данных |
Проверка безопасности | Поддержка допуска безопасности |
Транспортный пакет | Ящик |
Спецификация | 15,5 х 21,6/2,54 мм |
товарный знак | ЗИТН |
Источник | Циндао, Китай. |
HS-код | 8523511000 |
Производственная мощность | 20000 |
Описание продукта
Описание продукта
Устойчивая к высоким температурам флэш-память NOR LHM128MB/256MBLHM 128/256 МБ — это высокотемпературная, высоконадежная память общего назначения NOR, работающая через последовательный интерфейс SPI. Он может работать в течение длительного времени в суровых условиях от -45°C до 200°C.
Диапазон рабочих температур: от -45°C до +200°C (время тушения: от 15°C до 85°C)
Максимальный рабочий ток: запись 50 мА; 40 мА считывание; Резервная мощность:<100 μA
Напряжение сети Vcc (В): 2,7 В ~ 3,6 В
Входное напряжение высокого уровня (В): 0,8 Вcc ~ Vcc + 0,3
Низкое входное напряжение (В): -0,3-0,2 В пост. тока
Выходное напряжение высокого уровня (В): 2,4 ~ Vcc
Выходное напряжение низкого уровня (В): -0,3-0,4 В пост. тока
Скорость чтения и записи: чтение 5 МБ/с; Запись 128 КБ/с
Пакет: 16 PIN DIP PB бесплатно
Параметры продукта
Искусство не. | Диапазон напряжения | Состав | Жесткий |
ЛХМ128МБ | 2,7 ~ 3,6 В | 128 М х 8 бит | ДИП16 |
ЛХМ256МБ | 2,7 ~ 3,6 В | 256 М х 8 бит | ДИП16 |
Описание пина:
Упаковка:
Список инструкций:
имя инструкции | Код инструкции |
ЗАПИСЬ ВКЛЮЧЕНА | 0 х06 |
ЗАПИСЬ ДАННЫХ | 0 х12 |
ЧИТАТЬ ДАННЫЕ | 0 х13 |
ЧТЕНИЕ СТАТУСА | 0 х05 |
ЧТЕНИЕ СТАТУСА 2 | 0 х2Б |
ЧИТАТЬ КОНФИГУРАЦИЯ | 0 х15 |
АКТИВИРОВАТЬ ПРОДУКТ | 0 х В7 |
УДАЛИТЬ | 0 х21 |
ВКЛЮЧИТЬ СБРОС | 0 х66 |
ИНСТРУКЦИЯ ПО СБРОСУ | 0x99 |
- Перед началом работы прочтите регистр состояния, чтобы убедиться, что изделие находится в правильном состоянии.
- После неправильной команды WRITE изделие переходит в режим ожидания до следующего фронта отказа CS#. Вывод F*_SO находится в состоянии импеданса.
- После правильной команды WRITE продукт обрабатывает указанное состояние до тех пор, пока не будет достигнут нарастающий фронт сигнала CS#.
- Входные данные фиксируются по нарастающему фронту сигнала F*_SCK, а выходные данные сдвигаются по заднему фронту.
- Перед использованием продукта установите режим активации.
- Байты — это минимальная единица работы с данными.
Похожие продукты
Профиль компании
ЗИТН — национальное высокотехнологичное предприятие, основанное в 2002 году многими инженерами в области высоких технологий, имеющими большой опыт работы в микроэлектронной промышленности. За 19 лет развития компания ZITN стала признанным лидером отрасли в Китае, и в общей сложности у нас работает 175 сотрудников, более 49% из которых относятся к группе исследований и разработок. В основном мы проектируем, разрабатываем и производим высокоточные инклинометры, кварцевые акселерометры, системы инерциальных измерительных устройств, продукты для схем ПЧ и флэш-память NAND, которые широко используются в аэрокосмической отрасли, бурении нефти и газа и геологоразведочных работах.