banner
Продукты
Мы уделяем особое внимание доставке исключительных продуктов, быстрой доставке и внимательному обслуживанию клиентов.
Флэш-память 128 МБ MWD, 210 градусов, производитель флэш-памяти NAND, чип флэш-памяти NAND

Флэш-память 128 МБ MWD, 210 градусов, производитель флэш-памяти NAND, чип флэш-памяти NAND

Обзор Описание продукта Высокотемпературная флэш-память NORLHM128MB/256MB LHM 128/256MB — это память общего назначения N;
Базовая информация
Вместимость склада≤1G
Тип поверхностиЖесткий
ФормаПрямоугольный
МатериалКерамика
Открытый стильоткрытие
USB-типТворческий USB-накопитель
ЦветЗолото
функцияЖесткий диск USB для хранения данных
Проверка безопасностиПоддержка допуска безопасности
Транспортный пакетЯщик
Спецификация15,5 х 21,6/2,54 мм
товарный знакЗИТН
ИсточникЦиндао, Китай.
HS-код8523511000
Производственная мощность20000
Описание продукта

128MB Mwd Flash Memory 210 Degree Nor Flash Memory Manufacturer Nand Flash Memory Chip

Описание продукта

Устойчивая к высоким температурам флэш-память NOR LHM128MB/256MB

LHM 128/256 МБ — это высокотемпературная, высоконадежная память общего назначения NOR, работающая через последовательный интерфейс SPI. Он может работать в течение длительного времени в суровых условиях от -45°C до 200°C.

Диапазон рабочих температур: от -45°C до +200°C (время тушения: от 15°C до 85°C)
Максимальный рабочий ток: запись 50 мА; 40 мА считывание; Резервная мощность:<100 μA
Напряжение сети Vcc (В): 2,7 В ~ 3,6 В
Входное напряжение высокого уровня (В): 0,8 Вcc ~ Vcc + 0,3
Низкое входное напряжение (В): -0,3-0,2 В пост. тока
Выходное напряжение высокого уровня (В): 2,4 ~ Vcc
Выходное напряжение низкого уровня (В): -0,3-0,4 В пост. тока
Скорость чтения и записи: чтение 5 МБ/с; Запись 128 КБ/с
Пакет: 16 PIN DIP PB бесплатно

Параметры продукта

Искусство не.Диапазон напряженияСоставЖесткий
ЛХМ128МБ2,7 ~ 3,6 В128 М х 8 битДИП16
ЛХМ256МБ2,7 ~ 3,6 В256 М х 8 битДИП16

Описание пина:

Упаковка:


Список инструкций:
имя инструкцииКод инструкции
ЗАПИСЬ ВКЛЮЧЕНА0 х06
ЗАПИСЬ ДАННЫХ0 х12
ЧИТАТЬ ДАННЫЕ0 х13
ЧТЕНИЕ СТАТУСА0 х05
ЧТЕНИЕ СТАТУСА 20 х2Б
ЧИТАТЬ КОНФИГУРАЦИЯ0 х15
АКТИВИРОВАТЬ ПРОДУКТ0 х В7
УДАЛИТЬ0 х21
ВКЛЮЧИТЬ СБРОС0 х66
ИНСТРУКЦИЯ ПО СБРОСУ0x99
Примечания:
  1. Перед началом работы прочтите регистр состояния, чтобы убедиться, что изделие находится в правильном состоянии.
  2. После неправильной команды WRITE изделие переходит в режим ожидания до следующего фронта отказа CS#. Вывод F*_SO находится в состоянии импеданса.
  3. После правильной команды WRITE продукт обрабатывает указанное состояние до тех пор, пока не будет достигнут нарастающий фронт сигнала CS#.
  4. Входные данные фиксируются по нарастающему фронту сигнала F*_SCK, а выходные данные сдвигаются по заднему фронту.
  5. Перед использованием продукта установите режим активации.
  6. Байты — это минимальная единица работы с данными.

Похожие продукты

Профиль компании

ЗИТН — национальное высокотехнологичное предприятие, основанное в 2002 году многими инженерами в области высоких технологий, имеющими большой опыт работы в микроэлектронной промышленности. За 19 лет развития компания ZITN стала признанным лидером отрасли в Китае, и в общей сложности у нас работает 175 сотрудников, более 49% из которых относятся к группе исследований и разработок. В основном мы проектируем, разрабатываем и производим высокоточные инклинометры, кварцевые акселерометры, системы инерциальных измерительных устройств, продукты для схем ПЧ и флэш-память NAND, которые широко используются в аэрокосмической отрасли, бурении нефти и газа и геологоразведочных работах.


128MB Mwd Flash Memory 210 Degree Nor Flash Memory Manufacturer Nand Flash Memory Chip

Отправить запрос