Встроенная флэш-память UFS4.0 емкостью 1 ТБ для приложений 5G... | Гуйчжоу SSD Твердотельный накопитель Co., Ltd.

Более высокая пропускная способность встроенной флэш-памяти UFS (Universal Flash Storage) версии 4.0 позволяет приложениям воспользоваться преимуществами подключения 5G, что приводит к более быстрой загрузке, сокращению времени задержки и улучшению пользовательского опыта.

Устройства объединяют флэш-память Kioxia BiCS FLASH 3D и контроллер в корпусе стандарта JEDEC. UFS 4.0 включает в себя MIPI M-PHY 5.0 и UniPro 2.0 и поддерживает теоретическую скорость интерфейса до 23,2 Гбит/с на линию или 46,4 Гбит/с на устройство, но при этом обратно совместим с UFS 3.1.

Это обеспечивает увеличение на 18% при последовательной записи, на 30% при произвольной записи и на 13% при случайном чтении. Последовательность запуска высокоскоростного канала (HS-LSS) может выполняться на более высокой скорости HS-G1 A, равной 1248 Мбит/с, вместо последовательности инициализации M-PHY и UniPro с низкоскоростным каналом PWM-G1 со скоростью от 3 до 9 Мбит/с. . Ожидается, что это сократит время запуска канала примерно на 70%.

Встроенные флэш-чипы используют усовершенствованный блок памяти с защитой от воспроизведения (RPMB) для более быстрого доступа к чтению и записи данных безопасности, таких как учетные данные пользователя в области RPMB, а также функцию RPMB Purge, обеспечивающую безопасную и быструю очистку отброшенных данных.

Чипы также поддерживают расширенный идентификатор инициатора (Ext-IID), который можно использовать с многокольцевой очередью (MCQ) в хост-контроллере UFS 4.0 для повышения производительности случайных операций.

«С выпуском нашей новой линейки UFS 4.0 KIOXIA снова укрепляет свои позиции ведущего поставщика инновационных технологий UFS», — сказал Аксель Стерманн, вице-президент по маркетингу и разработке памяти в Kioxia Europe.

Пробные поставки устройств THGJFJT2T85BAT0 емкостью 256 ГБ и 512 ГБ начались в этом месяце, а устройство емкостью 1 ТБ должно последовать после октября.